5.1 缺陷類型與特征

    晶體結(jié)構(gòu)缺陷是按照其尺度范圍來分類的，即按照偏離理想結(jié)構(gòu)的周期性有規(guī)律排列的區(qū)域大小來分類。
    （1）點(diǎn)缺陷
    由于各種原因使晶體內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)有規(guī)則的周期性排列遭到破壞，引起質(zhì)點(diǎn)間勢場畸變，產(chǎn)生晶體結(jié)構(gòu)不完整性，但其尺度僅僅局限在1個或若干個原子級大小的范圍內(nèi)，這種缺陷就稱為點(diǎn)缺陷。比如，熱振動的質(zhì)點(diǎn)脫離平衡位置進(jìn)入到間隙位置，就產(chǎn)生了兩種點(diǎn)缺陷——空位和填隙質(zhì)點(diǎn)。點(diǎn)缺陷可以看成是零維缺陷。
    （2）線缺陷
    如果晶體內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)排列的規(guī)律性在某一方向上達(dá)到一定的尺度范圍遭到破壞，就稱為線缺陷，也稱位錯。它可被看作一維缺陷。
     （3）面缺陷
     如果晶體內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)排列的規(guī)律性在二維方向上一定的尺度范圍內(nèi)遭到破壞，就稱為面缺陷，有晶體表面、晶界、相界、堆垛層錯等若干種，它是二維缺陷。
    （4）體缺陷
     如果晶體內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)排列的規(guī)律性在三維空間一定的尺度范圍內(nèi)遭到破壞，就稱為體缺陷，例如亞結(jié)構(gòu)（嵌鑲塊）、沉淀相、層錯四面體、晶粒內(nèi)的氣孔和第二相夾雜物等，它們是三維缺陷。
（本節(jié)完）