第5章 結(jié)構(gòu)缺陷及固溶體

              5.5 固溶體(4)
5.5.5 間隙型固溶體

    如果雜質(zhì)質(zhì)點比較小,而晶體中空隙又較大,那么它們就能進入晶格的間隙位置內(nèi)形成間隙型固溶體。
形成間隙型固溶體的條件有:
    (1)溶質(zhì)質(zhì)點的半徑小和溶劑晶格結(jié)構(gòu)空隙大容易形成間隙型固溶體。如硅酸鹽片沸石結(jié)構(gòu)中空隙很大,CaF2型結(jié)構(gòu)中有配位數(shù)為8的較大孔隙存在,因此當小半徑的雜質(zhì)進入后,可以生成間隙型固溶體。
    (2)形成間隙型固溶體也必須保持結(jié)構(gòu)中的電中性,一般形成空位或者復合置換來達到。
    常見的填隙型固溶體有:
    ① 原子填隙:金屬晶體中,這種缺陷是比較容易發(fā)生的,原子半徑較小的H、C、B等元素易進入晶格間隙中形成間隙型固溶體,鋼就是C在Fe中的填隙型固溶體。
    ② 陽離子填隙:一般情況下,大部分無機離子晶體中不太容易出現(xiàn)陽離子填隙,只有少數(shù)情況下能夠發(fā)生。當CaO加入到ZrO2中,當其加入量小于15%時,并且在1800°C高溫下才可發(fā)生下列反應(yīng),生成填隙型固溶體:
                (5-55)
      ③ 陰離子填隙:對于大部分無機離子晶體,陰離子填隙是很不容易發(fā)生的,但它卻是CaF2型結(jié)構(gòu)的主要缺陷類型。將YF3加入到CaF2中,形成(Ca1-xYx)F2+x固溶體,其缺陷反應(yīng)式為:
            (5-56)
     在礦物學中,固溶體常被看作類質(zhì)同象的同義詞。類質(zhì)同象(類質(zhì)同晶)的定義是:物質(zhì)結(jié)晶時,其晶體結(jié)構(gòu)中原有離子或原子的配位位置被介質(zhì)中部分性質(zhì)相似的其它種離子或原子所占有,共同結(jié)晶成均勻的、呈單一相的混合晶體,但不引起鍵性和晶體結(jié)構(gòu)發(fā)生質(zhì)變的現(xiàn)象。顯然,與類質(zhì)同晶概念相同的是只是固溶體中的置換型,而不包括填隙式固溶體。

    5.5.6 固溶體的研究方法

    固溶體的生成可以用各種相分析手段和結(jié)構(gòu)分析方法進行研究。因為不論何種類型的固溶體,都將引起結(jié)構(gòu)上的某些變化以及反映在性質(zhì)上的相應(yīng)變化。前已述及,生成固溶體雖然不會改變晶體結(jié)構(gòu)的類型,但可以使晶胞參數(shù)略有改變。生成固溶體后性能上的變化如密度、光學性質(zhì)、電學性質(zhì)等變化。因此,可以用X射線結(jié)構(gòu)分析精確測定晶胞參數(shù),用排水法精確測定固溶體的密度,根據(jù)預(yù)期生成的固溶體的理論固溶式,計算出固溶體的理論密度,再與實測的密度進行比較,以此來判定所生成的固溶體及其組分、鑒別固溶體的類型等。
    鹽類二元系統(tǒng)等價置換固溶體,晶胞參數(shù)的變化服從維加定律:
         a = a1 + (a2a1)c       (5-57)
式中,a為固溶體晶胞參數(shù),c為溶質(zhì)濃度,a1為基質(zhì)晶體晶胞參數(shù),a2為溶質(zhì)晶胞參數(shù)。
    但是,對于許多無機非金屬材料,并不能很好地符合維加定律。研究固溶體時,主要通過測定晶胞參數(shù),計算固溶體的理論密度,再與實驗精確測定的固溶體實際密度值進行對比來分析判斷。
       設(shè):D為實驗測定密度值,D0為計算的理論密度,gi為單位晶胞內(nèi)第i種原子(離子)質(zhì)量,V為單位晶胞體積,則
                 (5-58)
其中,;對于立方晶系,V = a3,六方晶系,這里a和c為六方晶系的晶胞參數(shù)。
      對于金屬材料,
     若D < D0,則固溶體為缺位型;
     若D = D0,則固溶體為置換型;
     若D > D0,則固溶體為間隙型。

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